Takashi Ipposhi: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (34)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

[IEEE 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Prague, Czech Republic (2016.6.12-2016.6.16)] 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - A recessed gate LDMOSFET for alleviating HCI effects

Fujii, Hiroki, Mori, Takahiro, Ipposhi, Takashi

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 627 KB

english, 2016

2

[IEEE 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - Chicago, IL (2018.5.13-2018.5.17)] 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - A novel divided STI-based nLDMOSFET for suppressing HCI degradation under high gate bias stress

Mori, Takahiro, Kubo, Shunji, Ipposhi, Takashi

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2018

3

Magnetophonon resonance trapping of electron with emission of multi-phonon and magneto-Auger-recombination oscillation in n−Hg1-xCdxTe

Kôki Takita, Takashi Ippōshi, Kohzoh Masuda

Журнал:

Solid State Communications

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 362 KB

english, 1987

4

Thickness dependent integrity of gate oxide on SOI

Mikio Tsujiuchi, Toshiaki Iwamatsu, Hideki Naruoka, Hiroshi Umeda, Takashi Ipposhi, Shigeto Maegawa, Yasuo Inoue

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 191 KB

english, 2003

5

[IEEE 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Waikoloa, HI, USA (2014.6.15-2014.6.19)] 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Evolution of 200V lateral-IGBT technology

Tsujiuchi, Mikio, Nitta, Tetsuya, Ipposhi, Takashi, Maegawa, Shigeto

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.35 MB

english, 2014

6

[IEEE 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Waikoloa, HI, USA (2014.6.15-2014.6.19)] 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - A novel bi-directional high voltage PMOS with trench gate structure (Waveform Depletion MOS: WDMOS) for 65V HVICs

Tanaka, Kouji, Mori, Takahiro, Yoshida, Kosuke, Nitta, Tetsuya, Ipposhi, Takashi, Maegawa, Shigeto

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2014

7

[IEEE 2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) - Sapporo, Japan (2017.5.28-2017.6.1)] 2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) - Investigation into HCl improvement by a split-reeessed-gate structure in an STI-based nLDMOSFET

Mori, Takahiro, Fujii, Hiroki, Kubo, Shunji, Ipposhi, Takashi

Рік:

2017

Файл:

PDF, 710 KB

2017

8

[IEEE 2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) - Sapporo, Japan (2017.5.28-2017.6.1)] 2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) - A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15–80V LD-MOSFETs for automotive applications

Fujii, Hiroki, Tokumitsu, Shigeo, Mori, Takahiro, Yamashita, Tomohiro, Maruyama, Takahiro, Maruyama, Takuya, Maruyama, Yoshiki, Nishimoto, Shigeki, Arie, Hiroyuki, Kubo, Shunji, Ipposhi, Takashi

Рік:

2017

Файл:

PDF, 750 KB

2017

9

ChemInform Abstract: Platinum-Catalyzed Direct Amination of Allylic Alcohols under Mild Conditions: Ligand and Microwave Effects, Substrate Scope, and Mechanistic Study.

Takashi Ohshima, Yoshiki Miyamoto, Junji Ipposhi, Yasuhito Nakahara, Masaru Utsunomiya, Kazushi Mashima

Журнал:

Рік:

2010

Файл:

PDF, 70 KB

2010

10

ChemInform Abstract: Direct Substitution of the Hydroxy Group with Highly Functionalized Nitrogen Nucleophiles Catalyzed by Au(III).

Takashi Ohshima, Yasuhito Nakahara, Junji Ipposhi, Yoshiki Miyamoto, Kazushi Mashima

Журнал:

Рік:

2011

Файл:

PDF, 63 KB

2011

11

Surface defects on SOI wafers and their influence on device characteristics

Hideki Naruoka, Nobuyoshi Hattori, Toshiaki Iwamatsu, Takashi Ipposhi, Mitsuro Sudo, Tetsuya Nakai, Hidekazu Yamamoto, Yoji Mashiko

Журнал:

Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics))

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.96 MB

english, 2003

12

Reliability study of bulk and SOI SRAMs using high energy nuclear probes

Satoshi Abo, Hiroto Yamagiwa, Toshiaki Iwamatsu, Shigeto Maegawa, Yutaka Arita, Takashi Ipposhi, Atsushi Kinomura, Fujio Wakaya, Mikio Takai

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 178 KB

english, 2005

13

Platinum-Catalyzed Direct Amination of Allylic Alcohols under Mild Conditions: Ligand and Microwave Effects, Substrate Scope, and Mechanistic Study

Ohshima, Takashi, Miyamoto, Yoshiki, Ipposhi, Junji, Nakahara, Yasuhito, Utsunomiya, Masaru, Mashima, Kazushi

Журнал:

Journal of the American Chemical Society

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.49 MB

english, 2009

14

Aluminum Triflate as a Powerful Catalyst for Direct Amination of Alcohols, Including Electron-Withdrawing Group-Substituted Benzhydrols

Takashi Ohshima, Junji Ipposhi, Yasuhito Nakahara, Ryozo Shibuya, Kazushi Mashima

Журнал:

Advanced Synthesis & Catalysis

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 421 KB

english, 2012

15

[IEEE 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (2007.12.10-2007.12.12)] 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Controllable Inverter Delay and Suppressing Vth Fluctuation Technology in Silicon on Thin BOX Featuring Dual Back-Gate Bias Architecture

Tsuchiya, Ryuta, Ishigaki, Takashi, Morita, Yusuke, Yamaoka, Masanao, Iwamatsu, Toshiaki, Ipposhi, Takashi, Oda, Hidekazu, Sugii, Nobuyuki, Kimura, Shin'ichiro, Itoh, Kiyoo, Inoue, Yasuo

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.30 MB

english, 2007

16

Ion-Induced Anger Electrons Emitted from MgO and GaP under Shadowing Conditions

Kudo, Hiroshi, Shima, Kunihiro, Takita, Kôki, Masuda, Kohzoh, Murakami, Kouichi, Itoh, Hisayoshi, Ippōshi, Takashi, Seki, Seiji

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1986

Файл:

PDF, 767 KB

1986

17

Direct Use of Allylic Alcohols for Platinum-Catalyzed Monoallylation of Amines

Utsunomiya, Masaru, Miyamoto, Yoshiki, Ipposhi, Junji, Ohshima, Takashi, Mashima, Kazushi

Журнал:

Organic Letters

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 139 KB

english, 2007

18

Direct substitution of the hydroxy group with highly functionalized nitrogen nucleophiles catalyzed by Au(iii)

Ohshima, Takashi, Nakahara, Yasuhito, Ipposhi, Junji, Miyamoto, Yoshiki, Mashima, Kazushi

Журнал:

Chemical Communications

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 2011

19

[IEEE 20th International Conference on VLSI Design held jointly with 6th International Conference on Embedded Systems (VLSID'07) - Bangalore, India (2007.01.6-2007.01.10)] 20th International Conference on VLSI Design held jointly with 6th International Conference on Embedded Systems (VLSID'07) - Ultra Low Voltage Operation with Bootstrap Scheme for Single Power Supply SOI-SRAM

Iijima, Masaaki, Kitamura, Masayuki, Numa, Masahiro, Tada, Akira, Ipposhi, Takashi

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 466 KB

english, 2007

20

[IEEE 2007 Joint 50th IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS) and the IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems (NEWCAS 2007) - Montreal, QC, Canada (2007.08.5-2007.08.8)] 2007 50th Midwest Symposium on Circuits and Systems - Improved write margin for 90nm SOI-7T-SRAM by look-ahead dynamic threshold voltage control

Masaaki Iijima,, Kayoko Seto,, Masahiro Numa,, Akira Tada,, Takashi Ipposhi,

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.02 MB

english, 2007

21

[IEEE 2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers - San Francisco, CA, USA (2007.02.11-2007.02.15)] 2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers - A 0.05�0.05mm2 RFID Chip with Easily Scaled-Down ID-Memory

Usami, Mitsuo, Tanabe, Hisao, Sato, Akira, Sakama, Isao, Maki, Yukio, Iwamatsu, Toshiaki, Ipposhi, Takashi, Inoue, Yasuo

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.46 MB

english, 2007

22

Characterization of thermally annealed thin silicon films on insulators by Raman image measurement

Mizoguchi, Kohji, Yamauchi, Yuji, Harima, Hiroshi, Nakashima, Shin-ichi, Ipposhi, Takashi, Inoue, Yasuo

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 906 KB

english, 1995

23

[IEEE IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2006 - San Jose, CA, USA (2006.09.10-2006.09.13)] IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2006 - A Scalable ET2RAM (SETRAM) with Verify Control for SoC Platform Memory IP on SOI

Arimoto, Kazutami, Morishita, Fukashi, Hayashi, Isamu, Tanizaki, Tetsushi, Ipposhi, Takashi, Dosaka, Katsumi

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 511 KB

english, 2006

24

Reliability study of thermal cycling stress on smart power devices

Zhang, Ming, Yoshihisa, Yasuki, Furuya, Keiichi, Imai, Yukari, Hatasako, Kenichi, Ipposhi, Takashi, Maegawa, Shigeto

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2014

25

Suppression of Parasitic MOSFETs at LOCOS Edge Region in Partially Depleted SOI MOSFETs

Yasuoka, Akihiko, Iwamatsu, Toshiaki, Ipposhi, Takashi, Miyamoto, Shoichi, Yamaguchi, Yasuo, Inoue, Yasuo, Miyoshi, Hirokazu

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1997

Файл:

PDF, 818 KB

1997

26

The Influence of the Buried Oxide Defects on the Gate Oxide Reliability and Drain Leakage Currents of the Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Iwamatsu, Toshiaki, Ipposhi, Takashi, Yamaguchi, Yasuo, Imai, Yukari, Maegawa, Shigeto, Tsubouchi, Natsuro, Nishimura, Tadashi

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1997

Файл:

PDF, 1.04 MB

1997

27

Thermal Stability of Hg 1- x Cd x Te Crystals Covered with the Anodic Oxide Films

Takita, Kôki, Ippōshi, Takashi, Murakami, Kouichi, Masuda, Kohzoh, Kudo, Hiroshi, Seki, Seiji

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1986

Мова:

english

Файл:

PDF, 607 KB

english, 1986

28

Anger Electron Emission under Ion-Beam Shadowing Conditions

Kudo, Hiroshi, Murakami, Kouichi, Takita, Kôki, Masuda, Kohzoh, Seki, Seiji, Shima, Kunihiro, Itoh, Hisayoshi, Ippōshi, Takashi

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 344 KB

english, 1985

29

ChemInform Abstract: Aluminum Triflate as a Powerful Catalyst for Direct Amination of Alcohols, Including Electron-Withdrawing Group-Substituted Benzhydrols.

Ohshima, Takashi, Ipposhi, Junji, Nakahara, Yasuhito, Shibuya, Ryozo, Mashima, Kazushi

Журнал:

Рік:

2013

Файл:

PDF, 43 KB

2013

30

Delayed-ABC SOI for crosstalk noise repair

Tada, Akira, Notani, Hiromi, Tanaka, Genichi, Iwamatsu, Toshiaki, Ipposhi, Takashi, Terai, Masayuki, Iijima, Masaaki, Numa, Masahiro

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 569 KB

english, 2008

31

Dynamic threshold voltage control for dual supply voltage scheme on PD-SOI

Iijima, Masaaki, Hamada, Kenji, Kitamura, Masayuki, Numa, Masahiro, Tada, Akira, Ipposhi, Takashi

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 272 KB

english, 2006

32

Charge recycling in MTCMOS circuits with block dividing

Tada, Akira, Notani, Hiromi, Tanaka, Genichi, Ipposhi, Takashi, Iijima, Masaaki, Numa, Masahiro

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 363 KB

english, 2007

33

A Look-ahead Active Body-biasing scheme for SOI-SRAM with dynamic VDDM control

Seto, Kayoko, Iijima, Masaaki, Hirose, Tetsuya, Numa, Masahiro, Tada, Akira, Ipposhi, Takashi

Журнал:

IEICE Electronics Express

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 537 KB

english, 2009

34

SAE Technical Paper Series [SAE International International Congress & Exposition - (FEB. 28, 1994)] SAE Technical Paper Series - SOI Type Pressure Sensor for High Temperature Pressure Measurement

Hase, Yuji, Bessho, Mikio, Ipposhi, Takashi

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 253 KB

english, 1994